Микросхема управления силовыми транзисторами (БТИЗ / IGBT) 249АП1Р АЕЯР.431150.813 ТУ с контролем напряжения питания (UVLO).


Чтобы посмотреть этот PDF файл с форматированием и разметкой, скачайте его и откройте на своем компьютере.
Микросхема управления силовыми транзисторами (БТИЗ /
IGBT
)
с контролем напряжения питания (
UVLO
)

249АП1Р АЕЯР.431150.813 ТУ


МОП 44

001.04
-
2014 с. 15




Особенности

-

выходной импульсный ток 2 А

-

напряжение питания до 30 В

-

запирание
I
GBT

при напряжении
питания меньше 15 В

-

время задержки не более 500 нс

-

1500 В напряжение изоляции

-

8
-
выводной металлокерамический
корпус типа
DIP



2101.8
-
7.



Применение

-

изолированное управление сил
о-
выми транзисторами

-

схемы управле
ния электродвиг
а-
телями

-

блоки питания

-

преобразователи напряжения


Аналог

ACPL3120, ACPL3130 Avao

Общий вид и расположение

выводов микросхемы





Электрическая схема




Для устойчивой работы
микросхемы рекомендуе
т-
ся включать конденсатор

1,0 мкФ между выводами
5 и 8 (общий и питание).






ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ (25

С,
U
пит = 15
-
30В,
I
вх = 5
-
10 мА)



Наименование параметра


Обозн
а-
чение

Ед.

изм.

Значения


Режим измерения

мин.

макс.

Входное напря
жение

Uвх

В

0,8

1,8

Iвх= 5

мА

Выходное напряжение низкого уровня

Uвых

В


3,5

Iвых= 5
00 мА


15

Iвых= 20
00 мА

Выходное напряжение высокого уровня

Uвых

В

Uп
-
4,0


Iвых=
-
500

мА

Uп
-
15


Iвых=
-
20
00 мА

Напряжение включения по питанию

Uп.вкл

В

9,5

13,5

Uвых


8 В

Напряжение выключения по питанию

Uп.выкл

В


12,5

Uвых
≥ 1,5
В

Ток потребления

I
пот

мА


25

Iвх= 0

мА

Напряжение изоляции

Uиз

В

1500


t

= 5 с

Время включения

t
вкл

нс


500

R
н=10 Ом; Сн = 1
0

нФ

Время выключения
t
выкл

нс


500

R
н=
1
0 Ом; Сн =
10
нФ





ПРЕДЕЛЬНО
-
ДОПУСТИМЫЕ РЕЖИМЫ ЭКСПЛУАТАЦИИ

Параметры режима

Обозна
-
чение

Ед.

изм.

Мин.

Макс.

Примечание

Напряжение питания

U
пит

В

1
5

30


Импульсный ток выхода

I
вых.и

мА


20
00

При
T



45
0
C

Входной ток во включенном состоянии

I
вх

мА

5

10


Входной импульсный ток (предельный)
I
вх.и

мА


150

t
имп = 200мкс

Вхо
дное напряжение в выключенном с
о-
стоянии

U
вх

В

-
3.5

0.8


Рабочий диапазон температур

T


С

-
60

85




Параметры стойкости

7.И
1

7.И
6

7.И
7

7.С
1

7.С
4

7.К
1

7.К
4

0,
2
×

2
Ус

2Ус

2Ус

1Ус

1Ус

2K

0,035 × 2
К


Наработка до отказа Т
н

микросборок при



= 97,5 % в пределах срока службы Т
сл

= 25 лет при температуре
окружающей среды не более 65
º
С
-

не менее 100 000 ч и не менее 120

000 ч в облегченном режиме:
I
вх

не более 15 мА,
U
пит

не более 20 В, температура не более 50
º
С

Гамма
-
п
роцентный срок сохраняемости Tс
γ

при
γ
= 99 % при хранении в упаковке изготовителя в отаплива
е-
мом хранилище или хранилище с регулируемыми влажностью и температурой, или в местах хранения ми
к-
росхем, вмонтированных в защищенную аппаратуру или находящихся
в защищенном комплекте ЗИП
-

25
лет.

75


Приложенные файлы

  • pdf 10980698
    Размер файла: 174 kB Загрузок: 0

Добавить комментарий